三星 12nm 级 DDR5 DRAM 7.2 千兆每秒

12 月 21 日消息，三星DDR5内存成功开发，三星 12nm 级 DDR5 DRAM 更高7.2 千兆每秒，并与 AMD 一起完成了兼容性方面的产品评估。

三星表示，这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。

三星数据显示，结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款 DRAM 拥有三星更高的 Die 密度（Die density），可使晶圆生产率提高 20%。

基于 DDR5 最新标准，三星 12nm 级 DRAM 将解锁高达 7.2 千兆每秒（Gbps）的速度，这意味着一秒钟内处理两部 30GB 的超高清（UHD）电影。

能效方面，与上一代三星 DRAM 产品相比，12nm 级 DRAM 的功耗降低约 23%。

随着 2023 年新款 DRAM 量产，三星计划将这一基于先进 12nm 级工艺技术的 DRAM 产品扩展到更广泛的市场领域。